46高通 10nm 制程 snapdragon 835 现身,同时支持最新快充 4.0-搜狐科技|高通 10nm 制程 snapdragon 835 现身,同时支持最新快充 4.0-搜狐科技9

高通 10nm 制程 Snapdragon 835 现身,同时支持最新快充 4.0-搜狐科技   17 日,高通公司宣布将与三星电子合作开发下一代旗舰级处理器 Snapdragon 骁龙 835,据称 835 将采用三星最先进的 10nm 制程。另外,高通表示 835 将支持最新的快充技术 Quick Charge 4.0。   由于采用全新的 10 纳米制程,高通方面表示,骁龙 835 处理器将具备更低的功耗以及更高性能,从而提升移动设备的使用者体验。   据了解,今年 10 月份,三星就率先公布了 10 纳米制程的量产,与上代 14 纳米制程相比,10 纳米可以减少 30% 的芯片尺寸,同时提升 27% 的性能以及降低 40% 的功耗。   借助 10 纳米制程,高通骁龙 835 处理器具备更小的 SoC 尺寸,让 OEM 厂商可以进一步最佳化移动设备的机身内部结构,比如增加电池或是实现更轻薄的设计等。此外,制程的提升也会改善电池续航能力。   目前骁龙 835 已经投入生产,预计搭载骁龙 835 处理器的设备将会在 2017 年上半年陆续出货。      除了骁龙 835 处理器之外,高通还正式发布了全新的 Quick Charge 4.0 快充技术。   QC 4.0 将会在前几代方案的基础上继续提升充电效率,官方称充电 5 分钟可以延长手机使用时长 5 小时,充电效率比之前增加 30%。此外 QC 4.0 还集成了对 USB-C 和 USB-PD(Power Delivery)的支持,相容范围更广泛。   USB-PD 是 Google 最新在 Android 相容性定义档案(Android Compatibility Definition Document)中加入的条目,Google 强烈建议制造商不要使用 Quick Charge 这样非标准性的 USB-C 充电方案,而是遵循 USB-PD 的技术规格。不过,随着最新的 QC4.0 已经支持 USB-PD,Google 所说的“非标准充电”也就不再有效。   值得一提的是,高通还强调 QC 4.0 使用了智能协商最佳电压(Intelligent Negotiation for Optimum Voltage,INOV)演算法和热管理技术。该技术的最大特点在于,透过智能管理设备的充电电量,能有效防止过热问题,进而大大减少充电时爆炸的风险。   高通表示,所有使用 Snapdragon 835 的手机将获得三级电流和四级电压保护,以防止过热。另外,和上一代技术相比,Quick Charge 4.0 也将让手机温度降低摄氏 5 度。   业内人士猜测,此次高通与三星合作研发,很可能意味着三星下一代旗舰机型 Galaxy S8 将首发骁龙 835,而更重要的是,使用了 QC 4.0 的 S8 将比 Note 7 更安全。   (本文由 雷锋网授权转载)   如需获取更多资讯,请关注微信公众账号:Technews科技新报